Ficha de Aprendizaje: Semiconductores

                                   F1 Semiconductores

2. Desde mi punto de vista como estudiante conozco y he escuchado mencionar los diodos: Rectificador, Zener, Túnel, LED, Fotodiodo, Varicap.

Zener: Según aumenta la tensión de polarización inversa hasta alcanzar un valor determinado muy grande llamado voltaje de ruptura entonces se produce una avalancha y la I se hace muy intensa.

 

 

 

 

 

Túnel: La curva característica de este tipo de diodo es de solo unos pocos nanómetros en la cual la intensidad de corriente aumenta y disminuye conforme el voltaje aumenta.

 

 

 

 

 

 

 

Rectificador: Con la polarización directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar con los átomos generan calor que hará aumentar la temperatura del semiconductor. Este aumento activa la conducción en el diodo.

 

4.

La flecha indica de que lado a que lado se dara el desplazamiento de elctrones.

                                         Respuestas Guia

1.Obedecen a una estructura cristalina compuesta de Silicio o Germanio.

2.Los primeros niveles de las capas de los atomos estan ligados y no pueden ser perturbados al atomo mientras que los de las capas externa (De Valencia) fácilmente liberados de sus posiciones para formar enlaces.

3. Pierde: ION Positivo

GANA: ION Negativo

4. Cuando los átomos que integran una molécula, se separan debido fundamentalmente, a un aporte de energía que puede ser de varios tipos, térmica, electrostática y por radiación electromagnética.

5. La corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos).

6. Los conductores poseen la capacidad de conducir electrones ya que su ultima capa puede tener mas de 4 electrones, mientras que los aislantes reducen su conducción porque en su ultima capa tienen menos de 4 electrones.

7. Los electrones y los huecos.

8. Un hueco es la ausencia de un electrón en las bandas de valencia. El hueco es entendido como uno de los portadores de carga que contribuyen al paso de corriente eléctrica, al doparse un material estos enlaces pueden ocupar el lugar vacío; esto se le llama hueco.

9. Su sentido va en la dirección que el electrón atraviesa la zona del hueco puede quedar atrapado en él este fenómeno se llama recombinación.

10. Al movimiento de electrones y huecos dentro de los átomos del semiconductor.

11. si

12. Se define como el número de portadores libres en un conductor.

13. proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.

14. Que el semiconductor extrínseco se le añaden impurezas (esta dopado) y uno intrínseco ambientalmente los electrones absorben la energía necesaria para saltar la banda de conducción.

15. Las impurezas donadoras son las que proporcionan electrones de conducción.

16. Semiconductores de tipo n

17. Semiconductor dopado con impurezas donadoras

18. Negativos

19. Aplicación externa de una diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unión. La Polarización del diodo puede ser en directa o en inversa.

20. Mediante el croquis del nivel de energía de arriba a la derecha es una forma de visualizar el equilibrio en una unión p-n.

21. Partículas encargadas de transportar corriente eléctrica que se encuentran en menor cantidad en un material dopado como tipo n o tipo p.

22. Mayoritarios: Los huecos

Minoritarios: Los electrones

23. La temperatura

24. Se caracteriza por estar en una región del espacio debida a la presencia de electrones o de iones.

 25. Se demuestra que así como hay en la unión PN, la fuga automática de electrones desde un lado hacia el otro de la interfaz, también existe la llegada de huecos como partículas desde el lado contrario y de forma compensatoria. Por cada electrón que cruce los límites de la unión PN, siempre llega un hueco a ocupar su lugar. Por cada enlace de tres electrones que destruya un átomo dopante tipo N, forma un enlace covalente solidario que costa de dos electrones y dos huecos. Lo contrario, por cada enlace de un solo electrón que destruya un electrón en el átomo dopante tipo P, forma también un enlace covalente solidario.

26. Si la generación y acumulación de cargas continúa se llega a una situación en que es inevitable la descarga electrostática. El fenómeno ocurre especialmente cuando el cuerpo cargado se acerca a un elemento conductor con un cierto grado de conductividad a tierra.
27. Tensión que hay entre los extremos de la zona de deplexión. Esta tensión se produce en la unión pn, ya que es la diferencia de potencial entre los iones a ambos lados de la unión.
28. Silicio (0.7V)

29.Cuando mas portadores mayoritarios crucen dicha zona, mas alta es la barrera. Los portadores mayoritarios deben subir la pendiente de la barrera y esto les frena disminuyendo su energía cinética.

30. La corriente de difusión es el movimiento de cargas eléctricas debido a la influencia de una gran concentración, mientras la corriente de arrastre es el movimiento de cargas eléctricas originado por la fuerza que ejerce un campo eléctrico.

31. Corriente de arrastre: Se origina cuando hay un arrastre por campo eléctrico.

32. Corriente de arrastre: Mismo sentido para electrones y huecos.

      Corriente de difusión: Sentidos opuestos para electrones y huecos.

 

34. Polarización inversa y directa.

 

36. Polarización Directa: La fuente disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial permitiendo el paso de la corriente.

Polarización Inversa: El polo negativo se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que aumenta la zona de carga espacial y la tensión en dicha zona hasta alcanzar el valor de la tensión de la batería.

40. Corriente de Difusión