F1 Semiconductores
2. Desde mi punto de vista como estudiante conozco y he
escuchado mencionar los diodos: Rectificador, Zener, Túnel, LED, Fotodiodo,
Varicap.
Zener: Según aumenta la tensión de polarización inversa
hasta alcanzar un valor determinado muy grande llamado voltaje de ruptura
entonces se produce una avalancha y la I se hace muy intensa.
Túnel: La curva característica de este tipo de diodo es de
solo unos pocos nanómetros en la cual la intensidad de corriente aumenta y
disminuye conforme el voltaje aumenta.
Rectificador:
Con la polarización directa los electrones portadores aumentan su
velocidad y al chocar con los átomos generan calor que hará aumentar la
temperatura del semiconductor. Este aumento activa la conducción en el diodo.
4.
La
flecha indica de que lado a que lado se dara el desplazamiento de elctrones.
Respuestas Guia
1.Obedecen
a una estructura cristalina compuesta de Silicio o Germanio.
2.Los primeros niveles de las capas de los atomos estan
ligados y no pueden ser perturbados al atomo mientras que los de las capas
externa (De Valencia) fácilmente liberados de sus posiciones para formar enlaces.
3. Pierde: ION Positivo
GANA: ION Negativo
4. Cuando los átomos que integran una
molécula, se separan debido fundamentalmente, a un aporte de energía que puede
ser de varios tipos, térmica, electrostática y por radiación electromagnética.
5. La
corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los
semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de
electrones como de las cargas positivas (huecos).
6. Los conductores poseen la capacidad de conducir electrones ya que su
ultima capa puede tener mas de 4 electrones, mientras que los aislantes reducen
su conducción porque en su ultima capa tienen menos de 4 electrones.
7. Los electrones y los huecos.
8. Un hueco es la ausencia de un electrón en las bandas de valencia. El
hueco es entendido como uno de los portadores de carga que contribuyen al paso
de corriente eléctrica, al doparse un material estos enlaces pueden ocupar el
lugar vacío; esto se le llama hueco.
9. Su sentido va en la dirección que el electrón atraviesa la zona del
hueco puede quedar atrapado en él este fenómeno se llama recombinación.
10. Al movimiento de electrones y huecos dentro de los átomos del
semiconductor.
11. si
12. Se define como el número de portadores libres en un conductor.
13. proceso
intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro con el
fin de cambiar sus propiedades eléctricas.
14. Que el semiconductor extrínseco se le añaden
impurezas (esta dopado) y uno intrínseco ambientalmente los electrones absorben
la energía necesaria para saltar la banda de conducción.
15. Las impurezas donadoras son las que proporcionan electrones de conducción.
16. Semiconductores de tipo n
17. Semiconductor dopado con impurezas donadoras
18. Negativos
19. Aplicación
externa de una diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a
la unión. La Polarización del diodo puede ser en directa o en inversa.
20.
Mediante el croquis del nivel de energía de arriba a la derecha es una forma de
visualizar el equilibrio en una unión p-n.
21.
Partículas encargadas de transportar corriente eléctrica que se encuentran en
menor cantidad en un material dopado como tipo n o tipo p.
22.
Mayoritarios: Los huecos
Minoritarios:
Los electrones
23.
La temperatura
24.
Se caracteriza por estar en una región del espacio debida a la presencia de
electrones o de iones.
25. Se demuestra que así como hay en la unión PN, la fuga
automática de electrones desde un lado hacia el otro de la interfaz, también
existe la llegada de huecos como partículas desde el lado contrario y de forma
compensatoria. Por cada electrón que cruce los límites de la unión PN, siempre
llega un hueco a ocupar su lugar. Por cada enlace de tres electrones que
destruya un átomo dopante tipo N, forma un enlace covalente solidario que costa
de dos electrones y dos huecos. Lo contrario, por cada enlace de un solo
electrón que destruya un electrón en el átomo dopante tipo P, forma también un
enlace covalente solidario.
26. Si la generación y acumulación
de cargas continúa se llega a una situación en que es inevitable la descarga
electrostática. El fenómeno ocurre especialmente cuando el cuerpo cargado se
acerca a un elemento conductor con un cierto grado de conductividad a tierra.
27. Tensión que hay entre los extremos de la zona de deplexión.
Esta tensión se produce en la unión pn, ya que es la diferencia de potencial
entre los iones a ambos lados de la unión.
28. Silicio (0.7V)
29.Cuando mas portadores mayoritarios crucen dicha zona, mas
alta es la barrera. Los portadores mayoritarios deben subir la pendiente de la
barrera y esto les frena disminuyendo su energía cinética.
30. La corriente de difusión es el movimiento de cargas
eléctricas debido a la influencia de una gran concentración, mientras la
corriente de arrastre es el movimiento de cargas eléctricas originado por la
fuerza que ejerce un campo eléctrico.
31. Corriente de arrastre: Se origina cuando hay un arrastre
por campo eléctrico.
32. Corriente de arrastre: Mismo sentido para electrones y
huecos.
Corriente de
difusión: Sentidos opuestos para electrones y huecos.
34. Polarización inversa y directa.
36. Polarización Directa: La fuente disminuye la barrera de potencial
de la zona de carga espacial permitiendo el paso de la corriente.
Polarización Inversa: El polo negativo se conecta a la zona p
y el polo positivo a la zona n, lo que aumenta la zona de carga espacial y la
tensión en dicha zona hasta alcanzar el valor de la tensión de la batería.
40. Corriente de Difusión
